a)励磁功率整流桥的接线方式一般为全控或半控整流桥，较普遍采用可控硅全控桥。随着电力电子技术的飞速发展，大容量、高参数的励磁功率柜相继问世，其特点是在单个可控硅元件选择上向大电流、高电压方向发展以简化由过多的串、并联元件组成的整流桥，据有关资料，单个可控硅元件的参数已达387/5200 V，使得可控硅整流桥得以简化，方便装置检修、运行，同时使各支路均流、均压问题相对易解决。 

　　b)可控硅功率柜中应配置有交流过电压保护装置，据现场情况采用风冷、水冷等不同的冷却方式，并采取一定措施保证并联整流柜均流系数达到要求。 

c)为满足并联功率柜投入和切除操作需要，可在可控硅整流桥支路的交流侧及直流侧设置高绝缘水平刀闸或断路器(空气开关多为500 V以下的低压电器，易发生开关、整流柜事故)。现时较多的厂家产品中，通常将两个甚至三个可控硅桥支路安装在同一功率柜中，使得在实际运行中，当功率柜中一支路发生故障需退出并检修时，因该柜其他支路、元件仍处于运行状态，且位于发电机转子励磁回路，运行、检修人员较难进行有关检修工作。只能将该故障支路所在的功率柜退出，一定程度上影响了机组运行。如果现场场地条件允许，应尽量让每个功率柜只安放一组可控硅整流桥，方便功率柜的投入、切除操作，以利运行、检修。